Transistor IGBT:
Le transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) est un transistor bipolaire à grille isolée. Il est composé de trois broches: la grille: G, l'émetteur: E, le collecteur: C.
Un IGBT est réalisé en associant un un transistor MOSFET en commande et un transistor bipolaire en sortie puissance; pour obtenir ainsi les avantages d'un transistor bipolaire pour le VCEsat, et ceux des transistor MOS pour la commande.
Le passage de l'état bloqué à l'état passant de transistor est réalisé par la polarisation de la grille.
On peut citer deux modes de réalisation d'IGBT: la structure épitaxiale et la structure homogène.
Les caractéristiques de commutation de l'IGBT se rapprochent de celles des transistors MOS ou bipolaires. La seule limitation se situe au niveau de leur temps de blocage.
Ressources:
The Art of Electronics - 2nd Edition - Paul Horowitz & Winfield Hill;
https://fr.wikipedia.org/wiki/Transistor
